CSD13302WT Texas Instruments МОП-транзистор 12 V N-ChanNexFET? Power МОП-транзистор 4-DSBGA
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Код товару: CSD13302WT
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: CSD13302WT
Id - непрерывный ток утечки
1.6 A
Pd - рассеивание мощности
1.8 W
Qg - заряд затвора
7.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
17.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
12 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
700 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
7 ns
Время спада
7 ns
Высота
0.62 mm
Длина
1 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
250
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
10 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
CSD13302W
Технология
Si
Тип корпуса
DSBGA-4
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
17 ns
Типичное время задержки при включении
6 ns
Торговая марка
Texas Instruments
Упаковка
Reel
Ширина
1 mm
MOSFET 12 V N-ChanNexFET? Power MOSFET 4-DSBGA
Про виробника
TEXAS INSTRUMENTS
Texas Instruments — американская компания, производитель полупроводниковых элементов, микросхем, электроники и изделий на их основе. Расположена в Далласе (штат Техас, США).
Является 4-м в мире по размеру производителем полупроводниковых приборов, ус... Детально...