2SK2009TE85LF Toshiba МОП-транзистор N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V
Виробник: TOSHIBA
Код товару: 2SK2009TE85LF
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: 2SK2009TE85LF
Id - непрерывный ток утечки
200 mA
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.1 mm
Длина
2.9 mm
Количество в заводской упаковке
3000
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
100 mS
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
2SK2009
Технология
Si
Тип
RF Small Signal MOSFET
Тип корпуса
SOT-346-3
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
1.5 mm
MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...