SIRC10DP-T1-GE3 Vishay МОП-транзистор 30V Vds PowerPAK w/Schottky SKYFET
Виробник: VISHAY
Код товару: SIRC10DP-T1-GE3
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SIRC10DP-T1-GE3
Id - непрерывный ток утечки
60 A
Pd - рассеивание мощности
43 W
Qg - заряд затвора
24 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
- 16 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.4 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
30 ns
Время спада
9 ns
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
TrenchFET
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
PowerPAK-SO-8
Типичное время задержки выключения
15 ns
Типичное время задержки при включении
10 ns
Торговая марка
Vishay
Упаковка
Reel
MOSFET 30V Vds PowerPAK w/Schottky SKYFET
Про виробника
VISHAY
Vishay — международная компания, один из крупнейших поставщиков прецизионных дискретных полупроводниковых приборов и пассивных электронных компонентов в мире.
Впервые вышла на рынок в 1962 году с уникальными высокоточными тонкоплёночными резисторами,... Детально...