VISHAY

Vishay — международная компания, один из крупнейших поставщиков прецизионных дискретных полупроводниковых приборов и пассивных электронных компонентов в мире. Впервые вышла на рынок в 1962 году с уникальными высокоточными тонкоплёночными резисторами, изготавливаемыми по технологии, запатентованной её основателем и главным техническим директором Феликсом Зандманом.

Порівняння товарів (0)

Сортувати:

Показувати:

SIR638DP-T1-GE3 Vishay MOSFET 40V Vds 100A Id 0.00088Vgs Rds(On) SIR638DP-T1-GE3

VISHAY

MOSFET 40V Vds 100A Id 0.00088Vgs Rds(On)..

склад: -10 шт.

Ціна без ПДВ: 62 грн

Мін. замовлення: 5 шт.

SIR638DP-T1-RE3 Vishay MOSFET 40V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8 SIR638DP-T1-RE3

VISHAY

MOSFET 40V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8..

6000 TrenchFET SIR638DP Vishay Reel

Мін. замовлення: 1 шт.

SIR846ADP-T1-GE3 Vishay MOSFET 100V 7.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET SIR846ADP-T1-GE3

VISHAY

MOSFET 100V 7.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET..

506,600 mg 1.04 mm 6.15 mm SIR846ADP-GE3 3000

Мін. замовлення: 1 шт.

SIR846ADP-T1-RE3 Vishay MOSFET 100V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8 SIR846ADP-T1-RE3

VISHAY

MOSFET 100V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8..

3000 TrenchFET SIR846ADP Vishay Reel

Мін. замовлення: 1 шт.

SIRA16DP-T1-GE3 Vishay MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8 SIRA16DP-T1-GE3

VISHAY

MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8..

1.04 mm 6.15 mm 3000 SIRA16DP Si

Мін. замовлення: 1 шт.

SIRA84DP-T1-GE3 Vishay MOSFET 30V Vds PowerPAK 60A Id 20/-16V Vgs SIRA84DP-T1-GE3

VISHAY

MOSFET 30V Vds PowerPAK 60A Id 20/-16V Vgs..

60 A 34.7 W 25 nC 4.6 mOhms 30 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SIRC10DP-T1-GE3 Vishay MOSFET 30V Vds PowerPAK w/Schottky SKYFET SIRC10DP-T1-GE3

VISHAY

MOSFET 30V Vds PowerPAK w/Schottky SKYFET..

60 A 43 W 24 nC 3.5 mOhms 30 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SIZ926DT-T1-GE3 Vishay MOSFET 25V Vds Dual N-Ch PowerPAIR 6x5 SIZ926DT-T1-GE3

VISHAY

MOSFET 25V Vds Dual N-Ch PowerPAIR 6x5..

40 A, 60 A 20.2 W, 40 W 12.5 nC, 27 nC 2.2 mOhms, 4.8 mOhms 25 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SQ3419AEEV-T1_GE3 Vishay MOSFET -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified SQ3419AEEV-T1_GE3

VISHAY

MOSFET -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified..

3000 TrenchFET SQ3419AEEV Si Vishay

Мін. замовлення: 1 шт.

SQD19P06-60L_GE3 Vishay MOSFET 60V 20A 46W AEC-Q101 Qualified SQD19P06-60L_GE3

VISHAY

MOSFET 60V 20A 46W AEC-Q101 Qualified..

- 20 A 46 W 41 nC 0.046 Ohms - 60 V

Мін. замовлення: 1 шт.

SQD19P06-60L_T4GE3 Vishay MOSFET -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified SQD19P06-60L_T4GE3

VISHAY

MOSFET -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified..

2500 TrenchFET SQD19P06-60L Vishay Reel

Мін. замовлення: 1 шт.

VS-100MT060WSP VS-100MT060WSP

VISHAY

Модуль біполярних транзисторів з ізольованим затвором (IGBT) Output & SW Modules - MTP SWITCH-e3..

Мін. замовлення: 1 шт.

VS-10RIA100M VS-10RIA100M

VISHAY

тиристор Thyristors - TO48 BRAZ SQR-e3..

Мін. замовлення: 1 шт.

VS-10RIA120M VS-10RIA120M

VISHAY

тиристор Thyristors - TO48 BRAZ SQR-e3..

Мін. замовлення: 1 шт.

VS-10RIA40M VS-10RIA40M

VISHAY

тиристор Thyristors - TO48 BRAZ SQR-e3..

Мін. замовлення: 1 шт.

VS-10RIA80M VS-10RIA80M

VISHAY

тиристор Thyristors - TO48 BRAZ SQR-e3..

Мін. замовлення: 1 шт.

VS-110RKI120 VS-110RKI120

VISHAY

тиристор Thyristors - TO-83/94 BRA SQ-e3..

Мін. замовлення: 1 шт.

VS-110RKI40 VS-110RKI40

VISHAY

тиристор Thyristors - TO-83/94 BRA SQ-e3..

Мін. замовлення: 1 шт.

VS-110RKI80 VS-110RKI80

VISHAY

тиристор Thyristors - TO-83/94 BRA SQ-e3..

Мін. замовлення: 1 шт.

VS-16F80M VS-16F80M

VISHAY

тиристор Diodes - DO4 BRAZ SQR-e3..

Мін. замовлення: 1 шт.

VS-16FR120M VS-16FR120M

VISHAY

тиристор Diodes - DO4 BRAZ SQR-e3..

Мін. замовлення: 1 шт.

VS-16RIA100M VS-16RIA100M

VISHAY

тиристор Thyristors - TO48 BRAZ SQR-e3..

Мін. замовлення: 1 шт.

VS-16RIA10M VS-16RIA10M

VISHAY

тиристор Thyristors - TO48 BRAZ SQR-e3..

Мін. замовлення: 1 шт.

VS-16RIA120M VS-16RIA120M

VISHAY

тиристор Thyristors - TO48 BRAZ SQR-e3..

Мін. замовлення: 1 шт.

VS-16RIA120MS90 VS-16RIA120MS90

VISHAY

тиристор Thyristors - TO48 BRAZ SQR-e3..

Мін. замовлення: 1 шт.

Показано с 1 по 25 з 456 (всього 19 сторінок)