ALD110900PAL Advanced Linear Devices МОП-транзистор Dual EPAD(R) N-Ch
Виробник: ADVANCED LINEAR DEVICES
Код товару: ALD110900PAL
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: ALD110900PAL
Id - непрерывный ток утечки
12 mA, 12 mA
Pd - рассеивание мощности
500 mW (1/2 W)
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
500 Ohms, 500 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
10 V, 10 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10.6 V, 10.6 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
- 20 mV
Вес изделия
1 g
Вид монтажа
Through Hole
Канальный режим
Depletion
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
2 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 70 C
Минимальная рабочая температура
0 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Серия
ALD110900P
Технология
Si
Тип
MOSFET
Тип корпуса
PDIP-8
Тип транзистора
2 N-Channel
Типичное время задержки выключения
10 ns, 10 ns
Типичное время задержки при включении
10 ns, 10 ns
Торговая марка
Advanced Linear Devices
Упаковка
Tube
MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
Про виробника
ADVANCED LINEAR DEVICES
Advanced Linear Devices Incorporated, также известный как ALD, является компанией по производству полупроводниковых приборов. Компания разрабатывает и производит высокоточные аналоговые CMOS линейно-интегральные схемы для промышленного контроля, приб... Детально...