CDM22010-650 SL Central Semiconductor МОП-транзистор N-Ch 10A PFC FET 650V 8.0nC 0.88Ohm
Виробник: CENTRAL SEMICONDUCTOR
Код товару: CDM22010-650 SL
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: CDM22010-650 SL
Id - непрерывный ток утечки
10 A
Pd - рассеивание мощности
156 W
Qg - заряд затвора
20 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
880 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вес изделия
6 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
33 ns
Время спада
36 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
750
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
CDM
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
57 ns
Типичное время задержки при включении
20 ns
Торговая марка
Central Semiconductor
Упаковка
Tube
MOSFET N-Ch 10A PFC FET 650V 8.0nC 0.88Ohm
Про виробника
CENTRAL SEMICONDUCTOR
Central Semiconductor Corp. производит широкий спектр дискретных полупроводников для SMD монтажа и THT для поддержки постоянно меняющихся требований разработчиков по всему миру. Продукция Central изготавливается по самым высоким стандартам для обесп... Детально...