CDM2206-800LR Central Semiconductor МОП-транзистор N-Ch 800V LR FET 6.0A 2.8nC 0.8Ohm
Виробник: CENTRAL SEMICONDUCTOR
Код товару: CDM2206-800LR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: CDM2206-800LR
Id - непрерывный ток утечки
6 A
Pd - рассеивание мощности
110 W
Qg - заряд затвора
24.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
800 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
22.7 ns
Время спада
25.6 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
400
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
UltraMOS
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
CDM220
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Типичное время задержки выключения
42.3 ns
Типичное время задержки при включении
9.3 ns
Торговая марка
Central Semiconductor
Упаковка
Bulk
MOSFET N-Ch 800V LR FET 6.0A 2.8nC 0.8Ohm
Про виробника
CENTRAL SEMICONDUCTOR
Central Semiconductor Corp. производит широкий спектр дискретных полупроводников для SMD монтажа и THT для поддержки постоянно меняющихся требований разработчиков по всему миру. Продукция Central изготавливается по самым высоким стандартам для обесп... Детально...