CXDM1002N TR Central Semiconductor МОП-транзистор 100Vds N-Ch Enh FET 20Vgs 2.0A 1.2W 2kV
Виробник: CENTRAL SEMICONDUCTOR
Код товару: CXDM1002N TR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: CXDM1002N TR
Id - непрерывный ток утечки
2 A
Pd - рассеивание мощности
1.2 W
Qg - заряд затвора
6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
140 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.5 V
Вес изделия
130,500 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.7 mm
Длина
4.7 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
CWDM
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-89-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
50 ns
Типичное время задержки при включении
32 ns
Торговая марка
Central Semiconductor
Упаковка
Reel
Ширина
2.7 mm
MOSFET 100Vds N-Ch Enh FET 20Vgs 2.0A 1.2W 2kV
Про виробника
CENTRAL SEMICONDUCTOR
Central Semiconductor Corp. производит широкий спектр дискретных полупроводников для SMD монтажа и THT для поддержки постоянно меняющихся требований разработчиков по всему миру. Продукция Central изготавливается по самым высоким стандартам для обесп... Детально...