CXDM6053N TR Central Semiconductor МОП-транзистор 60Vds N-Ch Enh FET 20Vgs 5.3A 1.2W
Виробник: CENTRAL SEMICONDUCTOR
Код товару: CXDM6053N TR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: CXDM6053N TR
Id - непрерывный ток утечки
5.3 A
Pd - рассеивание мощности
1.2 W
Qg - заряд затвора
8.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
52 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
130,500 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
CXDM
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-89-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Central Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET 60Vds N-Ch Enh FET 20Vgs 5.3A 1.2W
Про виробника
CENTRAL SEMICONDUCTOR
Central Semiconductor Corp. производит широкий спектр дискретных полупроводников для SMD монтажа и THT для поддержки постоянно меняющихся требований разработчиков по всему миру. Продукция Central изготавливается по самым высоким стандартам для обесп... Детально...