CZDM1003N TR Central Semiconductor МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 12A
Виробник: CENTRAL SEMICONDUCTOR
Код товару: CZDM1003N TR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: CZDM1003N TR
Id - непрерывный ток утечки
3 A
Pd - рассеивание мощности
2 W
Qg - заряд затвора
15 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
70 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вес изделия
250,200 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.8 mm
Длина
6.7 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
CZDM1003
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-223-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
60 ns
Типичное время задержки при включении
40 ns
Торговая марка
Central Semiconductor
Упаковка
Reel
Ширина
3.7 mm
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 12A
Про виробника
CENTRAL SEMICONDUCTOR
Central Semiconductor Corp. производит широкий спектр дискретных полупроводников для SMD монтажа и THT для поддержки постоянно меняющихся требований разработчиков по всему миру. Продукция Central изготавливается по самым высоким стандартам для обесп... Детально...