D3S125N65B-U D3 МОП-транзистор 125 mOhm 650V Superjunction Power МОП-транзистор in TO-220
Виробник: D3
Код товару: D3S125N65B-U
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: D3S125N65B-U
Id - непрерывный ток утечки
28.1 A
Pd - рассеивание мощности
222 W
Qg - заряд затвора
50 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.3 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
49 ns
Время спада
50 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
64 ns
Типичное время задержки при включении
32 ns
Торговая марка
D3
Упаковка
Tube
MOSFET 125 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220
Про виробника
D3
Основанная в конце 2011 года, D3 Semiconductor поставляет системные решения через свою сеть дочерних компаний. Среди других продуктов компания разрабатывает силовые МОП-транзисторы для приложений управления двигателем и источников питания.... Детально...