2N7002H-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор 60V N-Ch Enh FET 7.5Ohm 5Vgs 210mA

Виробник: DIODES INCORPORATED

Код товару: 2N7002H-7

Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення

Артикул: 2N7002H-7

Кіл-ть

0 відгуків0

Будь-яка форма оплати

Знижки для розробників і виробництв

Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою

Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн

Не вдалося знайти? Відправте запит.

Id - непрерывный ток утечки 170 mA

Pd - рассеивание мощности 370 mW

Qg - заряд затвора 352 pC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V

Вид монтажа SMD/SMT

Время нарастания 2.9 ns

Время спада 4.7 ns

Канальный режим Enhancement

Количество в заводской упаковке 3000

Количество каналов 1 Channel

Конфигурация 1 N-Channel

Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин. -

Максимальная рабочая температура + 150 C

Минимальная рабочая температура - 55 C

Полярность транзистора N-Channel

Серия 2N7002

Технология Si

Тип корпуса SOT-23-3

Тип транзистора 1 N-Channel

Типичное время задержки выключения 8.4 ns

Типичное время задержки при включении 3.7 ns

Торговая марка Diodes Incorporated

Упаковка Reel

MOSFET 60V N-Ch Enh FET 7.5Ohm 5Vgs 210mA

Про виробника

DIODES INCORPORATED

Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...