BSN20Q-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS:
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: BSN20Q-7
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: BSN20Q-7
Id - непрерывный ток утечки
500 mA
Pd - рассеивание мощности
920 mW
Qg - заряд затвора
800 pC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
50 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
400 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
2.99 ns
Время спада
8.3 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-23-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
9.45 ns
Типичное время задержки при включении
2.93 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET MOSFET BVDSS:
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...