BSS123WQ-7-F Diodes Incorporated МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: BSS123WQ-7-F
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: BSS123WQ-7-F
Id - непрерывный ток утечки
170 mA
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
10 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
800 mV
Вес изделия
6 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
8 ns
Время спада
16 ns
Высота
0.95 mm
Длина
2.15 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
80 mS
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
BSS123
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-323-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
13 ns
Типичное время задержки при включении
8 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
Ширина
1.3 mm
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...