BSS84DW-7-F Diodes Incorporated МОП-транзистор -50V 200mW
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: BSS84DW-7-F
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: BSS84DW-7-F
Id - непрерывный ток утечки
- 130 mA
Pd - рассеивание мощности
300 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 50 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
6 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
2.2 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
0.05 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
P-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Серия
BSS84
Технология
Si
Тип
Enhancement Mode Field Effect Transistor
Тип корпуса
SOT-363-6
Тип транзистора
2 P-Channel
Типичное время задержки выключения
18 ns
Типичное время задержки при включении
10 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
Ширина
1.35 mm
MOSFET -50V 200mW
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...