BSS84WQ-7-F Diodes Incorporated МОП-транзистор P-Ch -50V Enh FET 10Ohm -5Vgs -130mA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: BSS84WQ-7-F
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: BSS84WQ-7-F
Id - непрерывный ток утечки
- 130 mA
Pd - рассеивание мощности
360 mW
Qg - заряд затвора
900 pC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 50 V
Vgs - напряжение затвор-исток
+/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
- 2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
6.3 ns
Время спада
4.8 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 P-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
50 mS
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
P-Channel
Серия
BSS84
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-323-3
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
10 ns
Типичное время задержки при включении
2.5 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET P-Ch -50V Enh FET 10Ohm -5Vgs -130mA
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...