DMB53D0UV-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор N-CHANNEL NPN ENHANCEMENT MODE
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: DMB53D0UV-7
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: DMB53D0UV-7
Id - непрерывный ток утечки
160 mA
Pd - рассеивание мощности
250 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
50 V
Vgs - напряжение затвор-исток
+/- 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
700 mV
Вес изделия
3 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
180 mS
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel, NPN
Продукт
MOSFET Small Signal
Серия
DMB53D
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-563-6
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET N-CHANNEL NPN ENHANCEMENT MODE
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...