DMC1017UPD-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор Enh FET 12Vdss 8Vgss 20V Complementary
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: DMC1017UPD-13
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: DMC1017UPD-13
Id - непрерывный ток утечки
9.5 A, 6.9 A
Pd - рассеивание мощности
2.3 W
Qg - заряд затвора
18.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
17 mOhms, 32 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
12 V
Vgs - напряжение затвор-исток
8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
0.6 V to 1.5 V
Вес изделия
96 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
N-Channel, P-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel, P-Channel
Серия
DMC1017
Технология
Si
Тип корпуса
PowerDI5060-C-8
Тип транзистора
1 N-Channel, 1 P-Channel
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET Enh FET 12Vdss 8Vgss 20V Complementary
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...