DMC1229UFDB-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: DMC1229UFDB-7
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: DMC1229UFDB-7
Id - непрерывный ток утечки
- 3.8 A, 5.6 A
Pd - рассеивание мощности
1.4 W
Qg - заряд затвора
10.5 nC, 10.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
29 mOhms, 61 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 12 V, 12 V
Vgs - напряжение затвор-исток
+/- 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
- 1 V, 1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
10.5 ns, 11.5 ns
Время спада
4.1 ns, 26.4 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
1 N-Channel, 1 P-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
5.5 S, 6.5 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel, P-Channel
Серия
DMC1229
Технология
Si
Тип корпуса
U-DFN2020-B-6
Типичное время задержки выключения
16.6 ns, 27.8 ns
Типичное время задержки при включении
5 ns, 5.7 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...