DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор 30V N & P Comp FET Enh 2.3Vgs 25nC 22nC

Виробник: DIODES INCORPORATED

Код товару: DMC3016LSD-13

Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення

Артикул: DMC3016LSD-13

Кіл-ть

0 відгуків0

Будь-яка форма оплати

Знижки для розробників і виробництв

Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою

Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн

Не вдалося знайти? Відправте запит.

Id - непрерывный ток утечки 8.2 A, 6.2 A

Pd - рассеивание мощности 1.2 W

Qg - заряд затвора 11.3 nC, 10.9 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 15 mOhms, 30 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.3 V

Вес изделия 74 mg

Вид монтажа SMD/SMT

Время нарастания 16.5 ns, 17.1 ns

Время спада 5.6 ns, 40.4 ns

Канальный режим Enhancement

Количество в заводской упаковке 2500

Количество каналов 2 Channel

Конфигурация 1 N-Channel, 1 P-Channel

Максимальная рабочая температура + 150 C

Минимальная рабочая температура - 55 C

Полярность транзистора N-Channel, P-Channel

Серия DMC3016

Технология Si

Тип корпуса SO-8

Тип транзистора 1 N-Channel, 1 P-Channel

Типичное время задержки выключения 26.1 ns, 60.5 ns

Типичное время задержки при включении 4.8 ns, 9.7 ns

Торговая марка Diodes Incorporated

Упаковка Reel

MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 2.3Vgs 25nC 22nC

Про виробника

DIODES INCORPORATED

Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...