DMC3026LSD-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор 30V N & P Comp FET Enh 20Vgss Low Rdson
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: DMC3026LSD-13
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: DMC3026LSD-13
Id - непрерывный ток утечки
6.5 A, 6.2 A
Pd - рассеивание мощности
1.2 W
Qg - заряд затвора
6 nC, 10.9 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
22 mOhms, 29 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вес изделия
74 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
4.4 ns, 17.1 ns
Время спада
5.3 ns, 40.4 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
1 N-Channel, 1 P-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel, P-Channel
Серия
DMC3026
Технология
Si
Тип корпуса
SO-8
Тип транзистора
1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
22.3 ns, 60.5 ns
Типичное время задержки при включении
3.3 ns, 9.7 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 20Vgss Low Rdson
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...