DMC31D5UDJ-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор 30V N & P Enh FET Low RDSon 22.2pF
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: DMC31D5UDJ-7
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: DMC31D5UDJ-7
Id - непрерывный ток утечки
220 mA, - 200 mA
Pd - рассеивание мощности
350 mW
Qg - заряд затвора
0.38 nC, 0.35 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2.3 Ohms, 5.1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
2.2 ns, 5.2 ns
Время спада
7.5 ns, 8.7 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
10000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
1 N-Channel, 1 P-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel, P-Channel
Серия
DMC31
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-963-6
Тип транзистора
1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
21 ns, 18.8 ns
Типичное время задержки при включении
3.2 ns, 3.5 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET 30V N & P Enh FET Low RDSon 22.2pF
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...