DMC4029SSD-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W

Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: DMC4029SSD-13
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Артикул: DMC4029SSD-13

0


Будь-яка форма оплати
Знижки для розробників і виробництв
Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою
Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн
Не вдалося знайти? Відправте запит.


Id - непрерывный ток утечки - 5.1 A, 7 A
Pd - рассеивание мощности 1.3 W
Qg - заряд затвора 8.8 nC, 21.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 24 mOhms, 45 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток -40 V, 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток +/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток - 3 V, 3 V
Вес изделия 74 mg
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 7.1 ns, 19.6 ns
Время спада 4.8 ns, 25.5 ns
Канальный режим Enhancement
Количество в заводской упаковке 2500
Количество каналов 2 Channel
Конфигурация 1 N-Channel, 1 P-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин. -
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel, P-Channel
Серия DMC4029
Технология Si
Тип корпуса SO-8
Типичное время задержки выключения 15.1 ns, 34.9 ns
Типичное время задержки при включении 5.3 ns, 8.7 ns
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка Reel
MOSFET Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W
Увага: HTML не підтримується! Використовуйте звичайний текст!

Про виробника

DIODES INCORPORATED

DIODES INCORPORATED

Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...