DMG2305UX-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V

Виробник: DIODES INCORPORATED

Код товару: DMG2305UX-13

Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення

Артикул: DMG2305UX-13

Кіл-ть

0 відгуків0

Будь-яка форма оплати

Знижки для розробників і виробництв

Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою

Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн

Не вдалося знайти? Відправте запит.

Id - непрерывный ток утечки - 4.2 A

Pd - рассеивание мощности 1.4 W

Qg - заряд затвора 10.2 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 52 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток - 20 V

Vgs - напряжение затвор-исток 8 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток - 0.9 V

Вес изделия 8 mg

Вид монтажа SMD/SMT

Время нарастания 13.7 ns

Время спада 34.7 ns

Канальный режим Enhancement

Количество в заводской упаковке 10000

Количество каналов 1 Channel

Конфигурация Single

Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин. 9 S

Максимальная рабочая температура + 150 C

Минимальная рабочая температура - 55 C

Полярность транзистора P-Channel

Серия DMG2305

Технология Si

Тип корпуса SOT-23-3

Тип транзистора 1 P-Channel

Типичное время задержки выключения 79.3 ns

Типичное время задержки при включении 10.8 ns

Торговая марка Diodes Incorporated

Упаковка Reel

MOSFET P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V

Про виробника

DIODES INCORPORATED

Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...