DMG302PU-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор 25V P-Ch Enh Mode FET -8Vgss 0.33W
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: DMG302PU-13
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: DMG302PU-13
Мінімальна кіл-ть для замовлення цього товару: 10000.
Id - непрерывный ток утечки
- 17 A
Pd - рассеивание мощности
0.45 W
Qg - заряд затвора
0.35 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
13 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 25 V
Vgs - напряжение затвор-исток
- 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
- 0.96 V
Вес изделия
8 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
2.3 ns
Время спада
11 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
10000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
P-Channel
Серия
DMG302
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-23-3
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
24.1 ns
Типичное время задержки при включении
4.5 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET 25V P-Ch Enh Mode FET -8Vgss 0.33W
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...