DMG302PU-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор 25V P-Ch Enh FET 27.2pF 0.35nC

Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: DMG302PU-7
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Артикул: DMG302PU-7

0


Будь-яка форма оплати
Знижки для розробників і виробництв
Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою
Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн
Не вдалося знайти? Відправте запит.


Id - непрерывный ток утечки - 700 mA
Pd - рассеивание мощности 450 mW
Qg - заряд затвора 0.35 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 13 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток - 25 V
Vgs - напряжение затвор-исток - 4.5 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток - 0.96 V
Вес изделия 8 mg
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 2.3 ns
Время спада 11 ns
Канальный режим Enhancement
Количество в заводской упаковке 3000
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора P-Channel
Серия DMG302
Технология Si
Тип корпуса SOT-23-3
Тип транзистора 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 24.1 ns
Типичное время задержки при включении 4.5 ns
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка Reel
MOSFET 25V P-Ch Enh FET 27.2pF 0.35nC
Увага: HTML не підтримується! Використовуйте звичайний текст!

Про виробника

DIODES INCORPORATED

DIODES INCORPORATED

Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...