DMG3415UFY4Q-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: DMG3415UFY4Q-7
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: DMG3415UFY4Q-7
Id - непрерывный ток утечки
- 2.5 A
Pd - рассеивание мощности
1.35 W
Qg - заряд затвора
10 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
65 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 16 V
Vgs - напряжение затвор-исток
+/- 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
- 1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
175 ns
Время спада
568 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 P-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
7.9 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
P-Channel
Серия
DMG3415
Технология
Si
Тип корпуса
X2-DFN2015-3
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
885 ns
Типичное время задержки при включении
79 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...