DMG3418L-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: DMG3418L-7
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: DMG3418L-7
Id - непрерывный ток утечки
4 A
Pd - рассеивание мощности
1.4 W
Qg - заряд затвора
5.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
50 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.5 V
Вес изделия
8 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
1.6 ns
Время спада
2 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
DMG3418
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-23-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
10.3 ns
Типичное время задержки при включении
1.9 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...