DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор МОП-транзистор,P-CHANNEL
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: DMG4435SSS-13
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: DMG4435SSS-13
Id - непрерывный ток утечки
- 7.5 A
Pd - рассеивание мощности
2.5 W
Qg - заряд затвора
35.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
20 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
- 2.5 V
Вес изделия
74 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
12.7 ns
Время спада
22.8 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
22 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
P-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Серия
DMG4435
Технология
Si
Тип корпуса
SO-8
Тип транзистора
P-Channel
Типичное время задержки выключения
44.9 ns
Типичное время задержки при включении
8.6 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET MOSFET,P-CHANNEL
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...