DMG4511SK4-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: DMG4511SK4-13
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: DMG4511SK4-13
Id - непрерывный ток утечки
5.3 A, 5 A
Pd - рассеивание мощности
1.54 W
Qg - заряд затвора
18.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
65 mOhms, 65 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
35 V, 35 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
2.8 ns
Время спада
35.6 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
1 N-Channel, 1 P-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
4.5 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel, P-Channel
Серия
DMG4511
Технология
Si
Тип корпуса
TO-252-3
Тип транзистора
1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
33.2 ns
Типичное время задержки при включении
5.4 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...