DMG4712SSS-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор МОП-транзистор N-CHANNEL
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: DMG4712SSS-13
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: DMG4712SSS-13
Id - непрерывный ток утечки
11.2 A
Pd - рассеивание мощности
1.55 W
Qg - заряд затвора
45.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
10 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Вес изделия
74 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
24.4 ns
Время спада
6.6 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Серия
DMG4712
Технология
Si
Тип корпуса
SO-8
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
33.1 ns
Типичное время задержки при включении
5.5 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET MOSFET N-CHANNEL
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...