DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор ENHANCE MODE МОП-транзистор N Chan 30V/6.5-10.0A
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: DMG4800LK3-13
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: DMG4800LK3-13
Id - непрерывный ток утечки
10 A
Pd - рассеивание мощности
1.71 W
Qg - заряд затвора
8.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
12 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
800 mV
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
4.5 ns
Время спада
8.55 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
2 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Серия
DMG4800
Технология
Si
Тип корпуса
TO-252-3
Тип транзистора
2 N-Channel
Типичное время задержки выключения
26.33 ns
Типичное время задержки при включении
5.03 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...