DMG4800LSD-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: DMG4800LSD-13
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: DMG4800LSD-13
Id - непрерывный ток утечки
7.5 A
Pd - рассеивание мощности
1.17 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
22 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
25 V
Вес изделия
74 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
4.5 ns
Время спада
8.55 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Серия
DMG4800
Технология
Si
Тип корпуса
SO-8
Тип транзистора
2 N-Channel
Типичное время задержки выключения
26.33 ns
Типичное время задержки при включении
5.03 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...