ZVN4306GVTA Diodes Incorporated МОП-транзистор Avalanche
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: ZVN4306GVTA
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: ZVN4306GVTA
Id - непрерывный ток утечки
2.1 A
Pd - рассеивание мощности
3 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
450 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
8 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
25 ns
Время спада
16 ns
Высота
1.65 mm
Длина
6.7 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
ZVN4306
Технология
Si
Тип
FET
Тип корпуса
SOT-223-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
30 ns
Типичное время задержки при включении
8 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
Ширина
3.7 mm
MOSFET Avalanche
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...