ZXMN2F34FHTA Diodes Incorporated МОП-транзистор 20V N-Channel Enhance. Mode МОП-транзистор
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: ZXMN2F34FHTA
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: ZXMN2F34FHTA
Id - непрерывный ток утечки
4 A
Pd - рассеивание мощности
950 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
60 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
12 V
Вес изделия
8 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
4.2 ns
Время спада
4.2 ns
Высота
1.02 mm
Длина
3.04 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Серия
ZXMN2F34
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-23-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
9.9 ns
Типичное время задержки при включении
2.65 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
Ширина
1.4 mm
MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...