ZXMN3A01ZTA Diodes Incorporated МОП-транзистор 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: ZXMN3A01ZTA
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: ZXMN3A01ZTA
Id - непрерывный ток утечки
3.3 A
Pd - рассеивание мощности
970 mW
Qg - заряд затвора
5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Вес изделия
130,500 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
4.1 ns
Время спада
3.6 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
3.5 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
ZXMN3A
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-89-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
13.5 ns
Типичное время задержки при включении
2.6 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...