ZXMN3G32DN8TA Diodes Incorporated МОП-транзистор 30V Dual N-Channel Enhance. Mode МОП-транзистор
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: ZXMN3G32DN8TA
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: ZXMN3G32DN8TA
Id - непрерывный ток утечки
7.1 A
Pd - рассеивание мощности
2.1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
28 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
74 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
3.1 ns
Время спада
9.7 ns
Высота
1.5 mm
Длина
5 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
500
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
ZXMN3
Технология
Si
Тип корпуса
SO-8
Тип транзистора
2 N-Channel
Типичное время задержки выключения
14 ns
Типичное время задержки при включении
2.5 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
Ширина
4 mm
MOSFET 30V Dual N-Channel Enhance. Mode MOSFET
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...