ZXMN6A25GTA Diodes Incorporated МОП-транзистор N-Chan 60V МОП-транзистор (UMOS)
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: ZXMN6A25GTA
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: ZXMN6A25GTA
Id - непрерывный ток утечки
6.7 A
Pd - рассеивание мощности
3.9 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
50 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
8 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
4 ns
Время спада
10.6 ns
Высота
1.65 mm
Длина
6.7 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single Dual Drain
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
ZXMN6A25
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-223-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
26.2 ns
Типичное время задержки при включении
3.8 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
Ширина
3.7 mm
MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...