ZXMS6004N8-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор 60V N-Ch Enh FET 500mOhm 1.3A 120mJ
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: ZXMS6004N8-13
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: ZXMS6004N8-13
Id - непрерывный ток утечки
1.3 A
Pd - рассеивание мощности
1.28 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
600 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
-
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
-
Вес изделия
74 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
10 us
Время спада
15 us
Высота
1.75 mm
Длина
4.9 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
Intellifet
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 40 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET
Серия
ZXMS6004
Технология
Si
Тип
Intellifet
Тип корпуса
SO-8
Типичное время задержки выключения
45 us
Типичное время задержки при включении
5 us
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
Ширина
3.9 mm
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 500mOhm 1.3A 120mJ
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...