ZXMS6005DGTA Diodes Incorporated МОП-транзистор 60V N-Ch Intellifet 200mohm 2A 490mJ
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: ZXMS6005DGTA
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: ZXMS6005DGTA
Id - непрерывный ток утечки
2 A
Pd - рассеивание мощности
3 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
150 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
5 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
700 mV
Вес изделия
8 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
14 us
Время спада
19 us
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
Intellifet
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 125 C
Минимальная рабочая температура
- 40 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Серия
ZXMS600
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-223-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
34 us
Типичное время задержки при включении
6 us
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET 60V N-Ch Intellifet 200mohm 2A 490mJ
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...