ZXMS6005N8-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор 60V N-CH. Low Side МОП-транзистор
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: ZXMS6005N8-13
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: ZXMS6005N8-13
Id - непрерывный ток утечки
2 A
Pd - рассеивание мощности
1.65 W
Qg - заряд затвора
-
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
250 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
-
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
-
Вес изделия
506,600 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
14 us
Время спада
19 us
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
IntelliFET
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 40 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
ZXMS6005N8
Технология
Si
Тип корпуса
SO-8
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
34 us
Типичное время задержки при включении
5 us
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET 60V N-CH. Low Side MOSFET
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...