ZXMS6006DGTA Diodes Incorporated МОП-транзистор 60V N-CH INTELLIFET 60V VDS Mosfet
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: ZXMS6006DGTA
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: ZXMS6006DGTA
Id - непрерывный ток утечки
11 A
Pd - рассеивание мощности
1.3 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
100 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
5 V
Вес изделия
8 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
Intellifet
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 40 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
ZXMS6006
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-223-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET 60V N-CH INTELLIFET 60V VDS Mosfet
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...