ZXMS6006DT8TA Diodes Incorporated МОП-транзистор 60V Dual N-Ch Mosfet 100mOhm 2.8A 210mJ
Виробник: DIODES INCORPORATED
Код товару: ZXMS6006DT8TA
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: ZXMS6006DT8TA
Id - непрерывный ток утечки
2.8 A, 2.8 A
Pd - рассеивание мощности
2.13 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
75 mOhms, 75 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V, 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
5 V, 5 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
700 mV, 700 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
18 us, 18 us
Время спада
15 us, 15 us
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
2 Channel
Коммерческое обозначение
Intellifet
Конфигурация
2 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 125 C
Минимальная рабочая температура
- 40 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
ZXMS600
Технология
Si
Тип корпуса
SM-8
Тип транзистора
2 N-Channel
Типичное время задержки выключения
34 us, 34 us
Типичное время задержки при включении
8.6 us, 8.6 us
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
MOSFET 60V Dual N-Ch Mosfet 100mOhm 2.8A 210mJ
Про виробника
DIODES INCORPORATED
Diodes Incorporated - американский производитель и поставщик дискретных, логических, аналоговых и смешанных полупроводников. Штаб-квартира находится в Плано, штат Техас, США.... Детально...