FCB110N65F Fairchild Semiconductor МОП-транзистор SuperFET2 650V, 110mohm, FRFET
Виробник: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Код товару: FCB110N65F
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: FCB110N65F
Id - непрерывный ток утечки
35 A
Pd - рассеивание мощности
357 W
Qg - заряд затвора
98 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
110 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вес изделия
1,312 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
21 ns
Время спада
5.7 ns
Высота
4.83 mm
Длина
10.67 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
800
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
SuperFET II FRFET
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
FCB110N65F
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Типичное время задержки выключения
89 ns
Типичное время задержки при включении
31 ns
Торговая марка
Fairchild Semiconductor
Упаковка
Reel
Ширина
9.65 mm
MOSFET SuperFET2 650V, 110mohm, FRFET
Про виробника
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Fairchild Semiconductor — американская компания, которая в 1959 году впервые в мире создала интегральную схему, пригодную для массового производства, и была одной из ключевых фирм Силиконовой долины в 1960-х годах.... Детально...