FCB11N60TM Fairchild Semiconductor МОП-транзистор HIGH POWER
Виробник: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Код товару: FCB11N60TM
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: FCB11N60TM
Id - непрерывный ток утечки
11 A
Pd - рассеивание мощности
125 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
380 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вес изделия
1,312 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
98 ns
Время спада
56 ns
Высота
4.83 mm
Длина
10.67 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
800
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
SuperFET
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
FCB11N60
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
119 ns
Типичное время задержки при включении
34 ns
Торговая марка
Fairchild Semiconductor
Упаковка
Reel
Ширина
9.65 mm
MOSFET HIGH POWER
Про виробника
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Fairchild Semiconductor — американская компания, которая в 1959 году впервые в мире создала интегральную схему, пригодную для массового производства, и была одной из ключевых фирм Силиконовой долины в 1960-х годах.... Детально...