FCD5N60TM Fairchild Semiconductor МОП-транзистор 650V SUPERFET
Виробник: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Код товару: FCD5N60TM
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: FCD5N60TM
Id - непрерывный ток утечки
4.6 A
Pd - рассеивание мощности
54 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
810 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вес изделия
260,370 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
40 ns
Время спада
22 ns
Высота
2.39 mm
Длина
6.73 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
SuperFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
3.8 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
FCD5N60
Технология
Si
Тип корпуса
TO-252-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
47 ns
Типичное время задержки при включении
12 ns
Торговая марка
Fairchild Semiconductor
Упаковка
Reel
Ширина
6.22 mm
MOSFET 650V SUPERFET
Про виробника
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Fairchild Semiconductor — американская компания, которая в 1959 году впервые в мире создала интегральную схему, пригодную для массового производства, и была одной из ключевых фирм Силиконовой долины в 1960-х годах.... Детально...