FCH041N65EFL4 Fairchild Semiconductor МОП-транзистор 650V 76A NChn МОП-транзистор SuperFET II, FRFET

Виробник: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Код товару: FCH041N65EFL4
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Артикул: FCH041N65EFL4

0


Будь-яка форма оплати
Знижки для розробників і виробництв
Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою
Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн
Не вдалося знайти? Відправте запит.


Id - непрерывный ток утечки 76 A
Pd - рассеивание мощности 595 W
Qg - заряд затвора 229 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 41 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вес изделия 6,289 g
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 65 ns
Время спада 48 ns
Высота 22.74 mm
Длина 15.8 mm
Канальный режим Enhancement
Количество в заводской упаковке 30
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение SuperFET II UniFET FRFET
Конфигурация 1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин. 71.7 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Серия FCH041N65EFL4
Технология Si
Тип корпуса TO-247-4
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 175 ns
Типичное время задержки при включении 55 ns
Торговая марка Fairchild Semiconductor
Упаковка Tube
Ширина 5.2 mm
MOSFET 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
Увага: HTML не підтримується! Використовуйте звичайний текст!

Про виробника

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Fairchild Semiconductor — американская компания, которая в 1959 году впервые в мире создала интегральную схему, пригодную для массового производства, и была одной из ключевых фирм Силиконовой долины в 1960-х годах.... Детально...