FCH110N65F_F155 Fairchild Semiconductor МОП-транзистор SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
Виробник: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Код товару: FCH110N65F_F155
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: FCH110N65F_F155
Id - непрерывный ток утечки
35 A
Pd - рассеивание мощности
357 W
Qg - заряд затвора
98 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
110 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
5 V
Вес изделия
6,390 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
21 ns
Время спада
5.7 ns
Высота
20.82 mm
Длина
15.87 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
30 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
FCH110N65F
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
89 ns
Типичное время задержки при включении
31 ns
Торговая марка
Fairchild Semiconductor
Упаковка
Tube
Ширина
4.82 mm
MOSFET SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
Про виробника
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Fairchild Semiconductor — американская компания, которая в 1959 году впервые в мире создала интегральную схему, пригодную для массового производства, и была одной из ключевых фирм Силиконовой долины в 1960-х годах.... Детально...