FCI7N60 Fairchild Semiconductor МОП-транзистор HIGH POWER
Виробник: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Код товару: FCI7N60
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: FCI7N60
Id - непрерывный ток утечки
7 A
Pd - рассеивание мощности
83 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
600 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вес изделия
2,084 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
55 ns
Время спада
32 ns
Высота
7.88 mm
Длина
10.29 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
SuperFET
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
FCI7N60
Технология
Si
Тип корпуса
TO-262-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
75 ns
Типичное время задержки при включении
35 ns
Торговая марка
Fairchild Semiconductor
Упаковка
Tube
Ширина
4.83 mm
MOSFET HIGH POWER
Про виробника
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Fairchild Semiconductor — американская компания, которая в 1959 году впервые в мире создала интегральную схему, пригодную для массового производства, и была одной из ключевых фирм Силиконовой долины в 1960-х годах.... Детально...