FCMT199N60 Fairchild Semiconductor МОП-транзистор 199mohm 600V SuperFET2
Виробник: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Код товару: FCMT199N60
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: FCMT199N60
Id - непрерывный ток утечки
20.2 A
Pd - рассеивание мощности
208 W
Qg - заряд затвора
57 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
199 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, 30 V
Вес изделия
449,030 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
10 ns
Время спада
5 ns
Высота
1.1 mm
Длина
8 mm
Количество в заводской упаковке
3000
Коммерческое обозначение
SuperFET II
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
20 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 50 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
FCMT199N60
Технология
Si
Тип корпуса
Power-88-4
Типичное время задержки выключения
64 ns
Типичное время задержки при включении
20 ns
Торговая марка
Fairchild Semiconductor
Упаковка
Reel
Ширина
8 mm
MOSFET 199mohm 600V SuperFET2
Про виробника
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Fairchild Semiconductor — американская компания, которая в 1959 году впервые в мире создала интегральную схему, пригодную для массового производства, и была одной из ключевых фирм Силиконовой долины в 1960-х годах.... Детально...